用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫金玑 ; 郑燕兰 ; 江文达 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103606]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫金玑,郑燕兰,江文达. 用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究[J]. 稀有金属,1984(02). |
| APA | 莫金玑,郑燕兰,&江文达.(1984).用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究.稀有金属(02). |
| MLA | 莫金玑,et al."用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究".稀有金属 .02(1984). |
入库方式： OAI收割
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