1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 水海龙 ; 张桂成 ; 邬祥生 ; 陈启玙 ; 徐少华 ; 杨易 ; 陈瑞璋 ; 胡道珊 |
| 刊名 | 发光与显示
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 用液相外延技术生长的三层和四层InGaAsP/InP双异质结材料,制成了1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管。光功率输出(100mA)>1.0mW,最高2mW,尾纤输出功率(N.A.0.23,芯径60μ)>50μW。文中描述了器件的特性参数,还讨论了光功率的饱和特性和退化特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103626]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水海龙,张桂成,邬祥生,等. 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究[J]. 发光与显示,1982(03). |
| APA | 水海龙.,张桂成.,邬祥生.,陈启玙.,徐少华.,...&胡道珊.(1982).1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究.发光与显示(03). |
| MLA | 水海龙,et al."1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究".发光与显示 .03(1982). |
入库方式： OAI收割
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