Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧海疆 ; 王渭源 ; 赵崎华 ; 蒋新元 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有源层的影响,容易制成性能优于Si~+单注入的GaAs E-和D-MESFET,并能提高阈值电压V_(tb)均匀性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103633]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧海疆,王渭源,赵崎华,等. Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET[J]. 半导体学报,1989(04). |
| APA | 欧海疆,王渭源,赵崎华,&蒋新元.(1989).Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET.半导体学报(04). |
| MLA | 欧海疆,et al."Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET".半导体学报 .04(1989). |
入库方式： OAI收割
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