用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴恒显 ; 林成鲁 ; 吴鼎芬 ; 柳襄怀 ; 陈芬扣 ; 邬慧娟 |
| 刊名 | 自然杂志
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0253-9608 |
| 中文摘要 | <正> 欧姆接触是半导体器件工艺的基本环节之一,制得低而稳定的接触电阻对器件性能的改进有很大意义.n型GaAs欧姆接触合金目前普遍采用以AuGe共晶为基加入不同量的Ni合金,但加热合金化有缩球现象、不均匀性和表面粗糙的缺点,对器件性能带来影响.近年来,不少学者以红宝石脉冲激光器、氩离子连续激光器等进行激光合金化,得到了良好的欧姆接触. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103645]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴恒显,林成鲁,吴鼎芬,等. 用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触[J]. 自然杂志,1980(06). |
| APA | 吴恒显,林成鲁,吴鼎芬,柳襄怀,陈芬扣,&邬慧娟.(1980).用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触.自然杂志(06). |
| MLA | 吴恒显,et al."用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触".自然杂志 .06(1980). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。