(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭英才 ; 徐刚毅 ; 何宇亮 ; 刘明 ; 李月霞 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结 ,并在 2 30— 42 0K温度范围内实验研究了该异质结的I V特性 .结果表明 ,(n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结为一典型的突变异质结构 ,具有良好的温度稳定性和整流特性 .正向偏压下 ,该异 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103650]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才,徐刚毅,何宇亮,等. (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究[J]. 物理学报,2000(12). |
| APA | 彭英才,徐刚毅,何宇亮,刘明,&李月霞.(2000).(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究.物理学报(12). |
| MLA | 彭英才,et al."(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究".物理学报 .12(2000). |
入库方式： OAI收割
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