（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱南昌 ; 李润身 ; 陈京一 ; 彭中灵 ; 袁诗鑫 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 10019014 |
| 中文摘要 | 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103653]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱南昌,李润身,陈京一,等. （ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍[J]. 红外与毫米波学报,1995(03). |
| APA | 朱南昌,李润身,陈京一,彭中灵,&袁诗鑫.(1995).（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍.红外与毫米波学报(03). |
| MLA | 朱南昌,et al."（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍".红外与毫米波学报 .03(1995). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。