1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 水海龙 ; 张桂成 ; 邬祥生 ; 陈启屿 ; 徐少华 ; 杨易 ; 胡道珊 |
| 刊名 | 电子学通讯
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| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | <正> 随着光纤通信系统的发展,长波(1.1—1.7μm)光源的研究巳广泛引起重视。因为在这一波长范围内,石英光纤具有低的传输损耗和材料色散。文献[1]指出,用InGaAsP/InP发光二极管(λ=1.3μm)作光源的系统的传输容量比目前常见的用GaAlAs/GaAs发光 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103666]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水海龙,张桂成,邬祥生,等. 1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究[J]. 电子学通讯,1982(05). |
| APA | 水海龙.,张桂成.,邬祥生.,陈启屿.,徐少华.,...&胡道珊.(1982).1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究.电子学通讯(05). |
| MLA | 水海龙,et al."1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究".电子学通讯 .05(1982). |
入库方式： OAI收割
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