1.55μm InGaAsP/InP LED的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 逄永秀 ; 龚连根 ; 府治平 ; 黄伟东 ; 姚文兰 ; 奚榕 ; 王志忠 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 本文报导了1.55μm InGaAsP/InP LED的制造工艺和性能测量。在100mA正向电流下,LED与多模光纤和单模光纤耦合后的出纤功率分别为20～30μW和2—4μW。讨论了获得准确p-n结位置的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103668]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逄永秀,龚连根,府治平,等. 1.55μm InGaAsP/InP LED的研究[J]. 发光学报,1990(02). |
| APA | 逄永秀.,龚连根.,府治平.,黄伟东.,姚文兰.,...&王志忠.(1990).1.55μm InGaAsP/InP LED的研究.发光学报(02). |
| MLA | 逄永秀,et al."1.55μm InGaAsP/InP LED的研究".发光学报 .02(1990). |
入库方式： OAI收割
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