1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴正云 ; 吴荣华 ; 陈朝 ; 刘士毅 ; 闵惠芳 ; 钟金权 ; 王振英 ; 王加宽 |
| 刊名 | 量子电子学
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 10075461 |
| 中文摘要 | 对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103677]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴正云,吴荣华,陈朝,等. 1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响[J]. 量子电子学,1995(02). |
| APA | 吴正云.,吴荣华.,陈朝.,刘士毅.,闵惠芳.,...&王加宽.(1995).1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响.量子电子学(02). |
| MLA | 吴正云,et al."1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响".量子电子学 .02(1995). |
入库方式： OAI收割
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