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1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响

文献类型:期刊论文

作者吴正云 ; 吴荣华 ; 陈朝 ; 刘士毅 ; 闵惠芳 ; 钟金权 ; 王振英 ; 王加宽
刊名量子电子学
出版日期1995
期号02
ISSN号10075461
中文摘要对AlxGal-xAs/GaAs异质面太阳电池经l-MeV电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析.讨论了电池性能衰退的主要原因,并提出了如何提高AlxGa1-xAs/GaAs异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103677]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴正云,吴荣华,陈朝,等. 1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响[J]. 量子电子学,1995(02).
APA 吴正云.,吴荣华.,陈朝.,刘士毅.,闵惠芳.,...&王加宽.(1995).1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响.量子电子学(02).
MLA 吴正云,et al."1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响".量子电子学 .02(1995).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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