2μm高速双极工艺的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 杨华丽 ; 陈学良 ; 何晓阳 ; 肖德元 |
刊名 | 微电子学
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出版日期 | 1994 |
期号 | 04 |
关键词 | K1 外延自掺杂 双极工艺 多晶硅发射极 高速器件 |
ISSN号 | 10043365 |
其他题名 | T1 2μm高速双极工艺的研究 |
中文摘要 | 本文报导了2μm高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能,对基础工艺的改进和完善作了试验,如减少外延自掺杂及缺陷;改善EC漏电;降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为250~500ps,有的可达200ps。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103689] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨华丽,陈学良,何晓阳,等. 2μm高速双极工艺的研究[J]. 微电子学,1994(04). |
APA | 杨华丽,陈学良,何晓阳,&肖德元.(1994).2μm高速双极工艺的研究.微电子学(04). |
MLA | 杨华丽,et al."2μm高速双极工艺的研究".微电子学 .04(1994). |
入库方式: OAI收割
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