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2μm高速双极工艺的研究

文献类型:期刊论文

作者杨华丽 ; 陈学良 ; 何晓阳 ; 肖德元
刊名微电子学
出版日期1994
期号04
关键词K1 外延自掺杂 双极工艺 多晶硅发射极 高速器件
ISSN号10043365
其他题名T1 2μm高速双极工艺的研究
中文摘要本文报导了2μm高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能,对基础工艺的改进和完善作了试验,如减少外延自掺杂及缺陷;改善EC漏电;降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为250~500ps,有的可达200ps。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103689]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨华丽,陈学良,何晓阳,等. 2μm高速双极工艺的研究[J]. 微电子学,1994(04).
APA 杨华丽,陈学良,何晓阳,&肖德元.(1994).2μm高速双极工艺的研究.微电子学(04).
MLA 杨华丽,et al."2μm高速双极工艺的研究".微电子学 .04(1994).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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