2μm高速双极工艺的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨华丽 ; 陈学良 ; 何晓阳 ; 肖德元 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 外延自掺杂 双极工艺 多晶硅发射极 高速器件 |
| ISSN号 | 10043365 |
| 其他题名 | T1 2μm高速双极工艺的研究 |
| 中文摘要 | 本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电；降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为２５０～５００ｐｓ，有的可达２００ｐｓ。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103689]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨华丽,陈学良,何晓阳,等. 2μm高速双极工艺的研究[J]. 微电子学,1994(04). |
| APA | 杨华丽,陈学良,何晓阳,&肖德元.(1994).2μm高速双极工艺的研究.微电子学(04). |
| MLA | 杨华丽,et al."2μm高速双极工艺的研究".微电子学 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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