3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈国雄 ; 郑养鉥 ; 蔡根寿 ; 顾惠芬 ; 龚国忠 ; 郑庆云 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 中文摘要 | CMOS工艺将成为VLSI电路的主流.本文所介绍的我们研制成功的3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺;是在八十年代初国外刚开发成功推出的产品.该工艺开发的CC74HC系列电路.因采用3微米多晶硅栅自对准工艺。大大缩小了芯片尺寸,基本上消除了栅与源、漏的覆盖电容,使器件工作速度提高到8ns/门,触发器最大工作频率为55MC.这种电路的管脚排列与低功耗肖特基TTL(LSTTL)可互换,而功耗远低于LSTTL电路.本文对研制中的关键工艺作了讨论,并将产品与国外同类产品的主要参数作了比较. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103697]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈国雄,郑养鉥,蔡根寿,等. 3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究[J]. 微电子学与计算机,1986(04). |
| APA | 沈国雄,郑养鉥,蔡根寿,顾惠芬,龚国忠,&郑庆云.(1986).3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究.微电子学与计算机(04). |
| MLA | 沈国雄,et al."3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究".微电子学与计算机 .04(1986). |
入库方式： OAI收割
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