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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学

文献类型:期刊论文

作者彭瑞伍 ; 莫金玑
刊名固体电子学研究与进展
出版日期1982
期号02
ISSN号1000-3819
中文摘要<正>——本文概述了近年来Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的外延,特别是有关电外延,金属有机化合物和分子束外延的国内外发展动态及其应用;同时也简要地介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物外延的物理化学.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103699]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
彭瑞伍,莫金玑. Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学[J]. 固体电子学研究与进展,1982(02).
APA 彭瑞伍,&莫金玑.(1982).Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学.固体电子学研究与进展(02).
MLA 彭瑞伍,et al."Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学".固体电子学研究与进展 .02(1982).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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