AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 翁惠民 ; 周先意 ; 徐纪华 ; 孙式军 ; 朱警生 ; 武淑兰 ; 韩荣典 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 09 |
| ISSN号 | 0254-3052 |
| 中文摘要 | 基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式。测量不同膜厚、不同退火条件下Al/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现Al/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好。通过拟合,得出了界面S参数S_1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103724]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁惠民,周先意,徐纪华,等. AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究[J]. 高能物理与核物理,1993(09). |
| APA | 翁惠民.,周先意.,徐纪华.,孙式军.,朱警生.,...&韩荣典.(1993).AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究.高能物理与核物理(09). |
| MLA | 翁惠民,et al."AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究".高能物理与核物理 .09(1993). |
入库方式： OAI收割
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