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Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

文献类型:期刊论文

作者陈晓杰 ; 李爱珍 ; 王嘉宽 ; 胡雨生 ; 汪乐
刊名半导体光电
出版日期2000
期号05
ISSN号1001-5868
中文摘要报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2 双层复合减反射层。测试结果表明 ,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了明显提高。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103728]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈晓杰,李爱珍,王嘉宽,等. Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究[J]. 半导体光电,2000(05).
APA 陈晓杰,李爱珍,王嘉宽,胡雨生,&汪乐.(2000).Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究.半导体光电(05).
MLA 陈晓杰,et al."Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究".半导体光电 .05(2000).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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