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Al_x Ga_(1-x) As二次离子质谱定量分析

文献类型:期刊论文

作者高培德 ; 徐弛 ; 毕联训 ; 陆月珍 ; 金丽娜 ; 王乃粒
刊名分析测试通报
出版日期1986
期号04
ISSN号1004-4957
中文摘要本文提出了一种用二次离子质谱(SIMS)测定Al_x Ga_(1-x)As薄膜样品成分的定量分析方法,通过对一组标样用线性回归法定标和迭代法定量计算,对不同能量下得到的数据进行统计分析表明,用SIMS方法测定的组份X值与用电子探针测定的结果之间的均方根误差只有8.7。本文还对影响SIMS定量分析精度的某些实验因素作了探讨。并给出了估算Al组分的I(Al~+)/sum from j=1 to nI(M_j~+)~C_(Al)图。原则上本法也同样适用于其它多组分均匀样品的SIMS定量分析。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103736]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
高培德,徐弛,毕联训,等. Al_x Ga_(1-x) As二次离子质谱定量分析[J]. 分析测试通报,1986(04).
APA 高培德,徐弛,毕联训,陆月珍,金丽娜,&王乃粒.(1986).Al_x Ga_(1-x) As二次离子质谱定量分析.分析测试通报(04).
MLA 高培德,et al."Al_x Ga_(1-x) As二次离子质谱定量分析".分析测试通报 .04(1986).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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