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AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应

文献类型:期刊论文

作者史常忻 ; 忻尚衡 ; 吴鼎芬
刊名物理学报
出版日期1987
期号03
ISSN号1000-3290
中文摘要本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进行了比较,符合较好。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103742]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
史常忻,忻尚衡,吴鼎芬. AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应[J]. 物理学报,1987(03).
APA 史常忻,忻尚衡,&吴鼎芬.(1987).AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应.物理学报(03).
MLA 史常忻,et al."AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应".物理学报 .03(1987).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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