ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 辛火平 ; 陈逸清 ; 石晓红 ; 许华平 ; 林成鲁 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | K1 脉冲激光沉积 立方氮化硼 六方氮化硼 |
| ISSN号 | 02587025 |
| 其他题名 | T1 ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备 |
| 中文摘要 | 采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103755]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛火平,陈逸清,石晓红,等. ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备[J]. 中国激光,1995(08). |
| APA | 辛火平,陈逸清,石晓红,许华平,林成鲁,&邹世昌.(1995).ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备.中国激光(08). |
| MLA | 辛火平,et al."ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备".中国激光 .08(1995). |
入库方式： OAI收割
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