BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 倪如山 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 离子注入 快速热退火 氟泡 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 其他题名 | T1 BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究 |
| 中文摘要 | 本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103773]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,倪如山,邹世昌. BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究[J]. 电子科学学刊,1989(04). |
| APA | 林成鲁,倪如山,&邹世昌.(1989).BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究.电子科学学刊(04). |
| MLA | 林成鲁,et al."BF_2~+注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究".电子科学学刊 .04(1989). |
入库方式： OAI收割
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