Bi、Sm、Ga替代的YIG膜的液相外延生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭懋端 ; 王洪祥 ; 杜三庆 ; 刘湘林 |
| 刊名 | 人工晶体
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | Z1 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 中文摘要 | <正> (BiSmY)_3(FeGa)_5O(12)磁性石榴石单晶薄膜由正规的液相外延法,即水平浸渍和100r/m的转速,生长于(111)钇镓石榴石单晶基片上。生长应用的助熔剂系统为 Bi_2O_3—PbO—B_2O_3。在过冷度5—40℃的范围内成功地制备了2—15μm 厚度的单晶外延薄膜。外延生长的(BiSmY)_3(FeGa)_5O_(12)与(BiY)_3(FeGa)_5O_(12)相比,它们的生长速度与过冷度之间都呈 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103780]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭懋端,王洪祥,杜三庆,等. Bi、Sm、Ga替代的YIG膜的液相外延生长[J]. 人工晶体,1988(Z1). |
| APA | 郭懋端,王洪祥,杜三庆,&刘湘林.(1988).Bi、Sm、Ga替代的YIG膜的液相外延生长.人工晶体(Z1). |
| MLA | 郭懋端,et al."Bi、Sm、Ga替代的YIG膜的液相外延生长".人工晶体 .Z1(1988). |
入库方式： OAI收割
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