Bi系超导氧化物调制结构中的缺陷及其作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施天生 ; 吴晓初 ; 朱健 ; 魏旺水 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 10006281 |
| 中文摘要 | 利用［１００］方向的高分辨晶格像研究了Ｂｉ系氧化物调制结构中的特征缺陷，及其对相变和材料超导性能的影响。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103789]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施天生,吴晓初,朱健,等. Bi系超导氧化物调制结构中的缺陷及其作用[J]. 电子显微学报,1994(04). |
| APA | 施天生,吴晓初,朱健,&魏旺水.(1994).Bi系超导氧化物调制结构中的缺陷及其作用.电子显微学报(04). |
| MLA | 施天生,et al."Bi系超导氧化物调制结构中的缺陷及其作用".电子显微学报 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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