C~+注入硅形成β-SiC埋层研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈长清 ; 杨立新 ; 严金龙 ; 陈学良 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态，即使经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火之后仍没有发现结晶态衍射峰存在．研究同时揭示了不同C+注入剂量对所形成β-SiC埋层结晶程度的影响，以及不同退火工艺对于样品制备的影响．通过AES成分深度测试及剖面透射电子显微镜（XTEM）可以直观分析β-SiC埋层 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103801]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈长清,杨立新,严金龙,等. C~+注入硅形成β-SiC埋层研究[J]. 半导体学报,1997(02). |
| APA | 陈长清,杨立新,严金龙,&陈学良.(1997).C~+注入硅形成β-SiC埋层研究.半导体学报(02). |
| MLA | 陈长清,et al."C~+注入硅形成β-SiC埋层研究".半导体学报 .02(1997). |
入库方式： OAI收割
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