Cd和Zn在InP中扩散的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 逄永秀 ; 孙炳玉 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 本文介绍了在450—700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(x_j)的平方和时间(t)的比值(x_j~2/t)作为扩散速度的度量,并画出了x_j~2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP_2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103806]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逄永秀,孙炳玉. Cd和Zn在InP中扩散的研究[J]. 电子科学学刊,1985(04). |
| APA | 逄永秀,&孙炳玉.(1985).Cd和Zn在InP中扩散的研究.电子科学学刊(04). |
| MLA | 逄永秀,et al."Cd和Zn在InP中扩散的研究".电子科学学刊 .04(1985). |
入库方式： OAI收割
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