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CH-1型硅集成热电堆红外传感器

文献类型:期刊论文

作者卢建国 ; 隋兆文 ; 熊斌 ; 王文珍 ; 陈芬和 ; 王渭源
刊名传感器技术
出版日期1988
期号04
ISSN号1000-9787
中文摘要本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为:波段为8~14μm,电阻值为4±1kΩ,响应率为10~15V/W,时间常数<100ms,探测值D~*~1×10~8cm (Hz)~(1/2)/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103810]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
卢建国,隋兆文,熊斌,等. CH-1型硅集成热电堆红外传感器[J]. 传感器技术,1988(04).
APA 卢建国,隋兆文,熊斌,王文珍,陈芬和,&王渭源.(1988).CH-1型硅集成热电堆红外传感器.传感器技术(04).
MLA 卢建国,et al."CH-1型硅集成热电堆红外传感器".传感器技术 .04(1988).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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