CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高剑侠 ; 严荣良 ; 任迪远 ; 竺士扬 ; 李金华 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 I－V温度特性 亚阈斜率 漂移 CMOS／BESOI器件 |
| ISSN号 | 10038213 |
| 中文摘要 | 采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103817]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高剑侠,严荣良,任迪远,等. CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究[J]. 微细加工技术,1995(03). |
| APA | 高剑侠,严荣良,任迪远,竺士扬,李金华,&林成鲁.(1995).CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究.微细加工技术(03). |
| MLA | 高剑侠,et al."CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究".微细加工技术 .03(1995). |
入库方式： OAI收割
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