CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高剑侠 ; 严荣良 ; 余学锋 ; 张国强 ; 任迪远 ; 林成鲁 ; 李金华 ; 竺士扬 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界面态增加较少，且ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ＂导通＂辐照偏置是最恶劣偏置。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103820]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高剑侠,严荣良,余学锋,等. CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1995(01). |
| APA | 高剑侠.,严荣良.,余学锋.,张国强.,任迪远.,...&竺士扬.(1995).CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 高剑侠,et al."CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究".固体电子学研究与进展 .01(1995). |
入库方式： OAI收割
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