Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜
文献类型:期刊论文
作者 | 刘平 ; 李炳宗 ; 孙臻 ; 顾志光 ; 黄维宁 ; 周祖尧 ; 倪如山 |
刊名 | 半导体学报
![]() |
出版日期 | 1994 |
期号 | 04 |
ISSN号 | 02534177 |
中文摘要 | 研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103824] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘平,李炳宗,孙臻,等. Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜[J]. 半导体学报,1994(04). |
APA | 刘平.,李炳宗.,孙臻.,顾志光.,黄维宁.,...&倪如山.(1994).Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜.半导体学报(04). |
MLA | 刘平,et al."Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜".半导体学报 .04(1994). |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。