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Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

文献类型:期刊论文

作者刘平 ; 李炳宗 ; 孙臻 ; 顾志光 ; 黄维宁 ; 周祖尧 ; 倪如山
刊名半导体学报
出版日期1994
期号04
ISSN号02534177
中文摘要研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103824]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘平,李炳宗,孙臻,等. Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜[J]. 半导体学报,1994(04).
APA 刘平.,李炳宗.,孙臻.,顾志光.,黄维宁.,...&倪如山.(1994).Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜.半导体学报(04).
MLA 刘平,et al."Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜".半导体学报 .04(1994).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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