Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘平 ; 李炳宗 ; 孙臻 ; 顾志光 ; 黄维宁 ; 周祖尧 ; 倪如山 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103824]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘平,李炳宗,孙臻,等. Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜[J]. 半导体学报,1994(04). |
| APA | 刘平.,李炳宗.,孙臻.,顾志光.,黄维宁.,...&倪如山.(1994).Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜.半导体学报(04). |
| MLA | 刘平,et al."Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜".半导体学报 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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