CVD BPSG膜的沉积及其回流机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾天亮 ; 江志庚 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 在研制和生产硅栅MOS型(NMOS和CMOS)LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃(CVD BPSG)膜取代常规的磷硅玻璃(PSG)膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因而可以把高温引发的那些不希望有的杂质扩散和各种缺陷减至最少. 本文着重介绍 CVD BPSG膜的沉积和回流特性,并初步探讨了掺杂 CVD SiO_2膜的回流机理. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103845]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾天亮,江志庚. CVD BPSG膜的沉积及其回流机理[J]. 半导体学报,1986(04). |
| APA | 曾天亮,&江志庚.(1986).CVD BPSG膜的沉积及其回流机理.半导体学报(04). |
| MLA | 曾天亮,et al."CVD BPSG膜的沉积及其回流机理".半导体学报 .04(1986). |
入库方式： OAI收割
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