EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毛友德 ; 顾成余 ; 丁勇 ; 宁王君 ; 夏冠群 ; 赵建龙 ; 赵福川 |
| 刊名 | 半导体杂志
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1005-3077 |
| 中文摘要 | 在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响程度与EL2能级的缺陷密度呈线性关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103858]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛友德,顾成余,丁勇,等. EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响[J]. 半导体杂志,2000(03). |
| APA | 毛友德.,顾成余.,丁勇.,宁王君.,夏冠群.,...&赵福川.(2000).EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响.半导体杂志(03). |
| MLA | 毛友德,et al."EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响".半导体杂志 .03(2000). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。