Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 杨悦非 ; 季良赳 ; 忻尚衡 ; 史常忻 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103885]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,杨悦非,季良赳,等. Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)[J]. 固体电子学研究与进展,1987(02). |
| APA | 吴鼎芬,杨悦非,季良赳,忻尚衡,&史常忻.(1987).Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET).固体电子学研究与进展(02). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)".固体电子学研究与进展 .02(1987). |
入库方式： OAI收割
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