GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆泳 ; 陆飞 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 半导体情报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 砷化镓 分子束外延 测量 振荡 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 其他题名 | T1 GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡 |
| 中文摘要 | 本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103895]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆泳,陆飞,李爱珍. GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡[J]. 半导体情报,1991(06). |
| APA | 陆泳,陆飞,&李爱珍.(1991).GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡.半导体情报(06). |
| MLA | 陆泳,et al."GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡".半导体情报 .06(1991). |
入库方式： OAI收割
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