GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁勇 ; 赵福川 ; 毛友德 ; 夏冠群 ; 赵建龙 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 旁栅效应 漏源电压 交换源漏 EL_2碰撞电离 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | T1 GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响 |
| 中文摘要 | 研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103896]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁勇,赵福川,毛友德,等. GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响[J]. 半导体技术,2000(04). |
| APA | 丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,&赵建龙.(2000).GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响.半导体技术(04). |
| MLA | 丁勇,et al."GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响".半导体技术 .04(2000). |
入库方式： OAI收割
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