GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁干 ; 崔丽娟 ; 丁勇 ; 毛友德 ; 赵福川 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 半导体情报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 旁栅效应 旁栅距 碰撞电离 |
| ISSN号 | 1001-5007 |
| 其他题名 | T1 GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究 |
| 中文摘要 | 旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103897]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁干,崔丽娟,丁勇,等. GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究[J]. 半导体情报,2001(01). |
| APA | 丁干,崔丽娟,丁勇,毛友德,赵福川,&夏冠群.(2001).GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究.半导体情报(01). |
| MLA | 丁干,et al."GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究".半导体情报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
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