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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析

文献类型:期刊论文

作者盛怀茂 ; 王嘉宽 ; 高启安 ; 夏冠群 ; 赵建龙
刊名半导体技术
出版日期1999
期号05
ISSN号1003-353X
中文摘要分析了第一激发态在势垒以上的GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声, 讨论了它们对探测器性能的影响
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103905]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
盛怀茂,王嘉宽,高启安,等. GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析[J]. 半导体技术,1999(05).
APA 盛怀茂,王嘉宽,高启安,夏冠群,&赵建龙.(1999).GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析.半导体技术(05).
MLA 盛怀茂,et al."GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析".半导体技术 .05(1999).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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