GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁勇 ; 赵福川 ; 毛友德 ; 夏冠群 ; 赵建龙 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .并从理论上解释了所发现的现象 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103913]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁勇,赵福川,毛友德,等. GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系[J]. 半导体学报,2001(07). |
| APA | 丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,&赵建龙.(2001).GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系.半导体学报(07). |
| MLA | 丁勇,et al."GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系".半导体学报 .07(2001). |
入库方式： OAI收割
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