GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 徐梅娣 ; 胡素英 ; 俞志中 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103916]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,徐梅娣,胡素英,等. GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定[J]. 固体电子学研究与进展,1986(01). |
| APA | 吴鼎芬,徐梅娣,胡素英,&俞志中.(1986).GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定".固体电子学研究与进展 .01(1986). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。