GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汪光裕 ; 冯平义 ; 邹元爔 ; 曾繁安 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103917]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪光裕,冯平义,邹元爔,等. GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性[J]. 电子学报,1989(01). |
| APA | 汪光裕,冯平义,邹元爔,&曾繁安.(1989).GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性.电子学报(01). |
| MLA | 汪光裕,et al."GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性".电子学报 .01(1989). |
入库方式： OAI收割
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