GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宁珺 ; 丁勇 ; 毛友德 ; 夏冠群 ; 赵福川 ; 赵建龙 |
| 刊名 | 微电子技术
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | K1 旁栅效应 光敏特征 迟滞现象 深能级 |
| ISSN号 | 1008-0147 |
| 其他题名 | T1 GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象 |
| 中文摘要 | 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103918]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁珺,丁勇,毛友德,等. GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象[J]. 微电子技术,2000(02). |
| APA | 宁珺,丁勇,毛友德,夏冠群,赵福川,&赵建龙.(2000).GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象.微电子技术(02). |
| MLA | 宁珺,et al."GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象".微电子技术 .02(2000). |
入库方式： OAI收割
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