GaAs低能Si~+及SiF~+离子注入研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 关安民 ; 李钧 ; 石华君 ; 夏冠群 ; 沈鸿烈 ; 江炳尧 ; 朱南昌 ; 陈酋善 |
| 刊名 | 微细加工技术
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 中文摘要 | 本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~ |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103923]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关安民,李钧,石华君,等. GaAs低能Si~+及SiF~+离子注入研究[J]. 微细加工技术,1993(03). |
| APA | 关安民.,李钧.,石华君.,夏冠群.,沈鸿烈.,...&陈酋善.(1993).GaAs低能Si~+及SiF~+离子注入研究.微细加工技术(03). |
| MLA | 关安民,et al."GaAs低能Si~+及SiF~+离子注入研究".微细加工技术 .03(1993). |
入库方式： OAI收割
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