GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 公延宁 ; 莫金玑 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论。在此基础上对其应用作了总结，并对今后工作提出了几点建议。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103924]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 公延宁,莫金玑,夏冠群. GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展[J]. 功能材料与器件学报,1998(03). |
| APA | 公延宁,莫金玑,&夏冠群.(1998).GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 公延宁,et al."GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展".功能材料与器件学报 .03(1998). |
入库方式： OAI收割
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