GaAs及其它半导体欧姆接触模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 王德宁 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρ_c与有源层浓度N_D有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρ_c应由两部分ρ_(c_1)和ρ_(c_2)组成。ρ_(c_1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有载流子浓度差,因而形成一个势垒φ_2,它带入ρ_(c_2)。当合金化良好,高掺杂层浓度N_(Dc)很高,因而ρ_(c_1)很小。这时ρ_(c_2)是ρ_c的主要组成部分。只是在这种 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103925]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,王德宁. GaAs及其它半导体欧姆接触模型[J]. 物理学报,1985(03). |
| APA | 吴鼎芬,&王德宁.(1985).GaAs及其它半导体欧姆接触模型.物理学报(03). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."GaAs及其它半导体欧姆接触模型".物理学报 .03(1985). |
入库方式： OAI收割
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