GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱南昌 ; 陈京一 ; 李润身 ; 许顺生 ; 夏冠群 ; 胡素英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10~(13)cm~(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10~(15)cm~(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103936]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱南昌,陈京一,李润身,等. GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究[J]. 半导体学报,1992(02). |
| APA | 朱南昌,陈京一,李润身,许顺生,夏冠群,&胡素英.(1992).GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究.半导体学报(02). |
| MLA | 朱南昌,et al."GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究".半导体学报 .02(1992). |
入库方式： OAI收割
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