GaAs中子嬗变掺杂的初步研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 ; 李寿春 ; 李跃鑫 ; 高集金 ; 李石岭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103941]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根,李寿春,李跃鑫,等. GaAs中子嬗变掺杂的初步研究[J]. 半导体学报,1984(05). |
| APA | 莫培根,李寿春,李跃鑫,高集金,&李石岭.(1984).GaAs中子嬗变掺杂的初步研究.半导体学报(05). |
| MLA | 莫培根,et al."GaAs中子嬗变掺杂的初步研究".半导体学报 .05(1984). |
入库方式： OAI收割
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