GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑胜男 ; 阎建华 ; 王豫生 ; 李跃鑫 ; 谢葆珍 ; 莫培根 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文利用1.5MeVHe~+离子的卢瑟福背散射沟道效应技术,直接观察了GaAs中子嬗变掺杂样品的辐射损伤和不同退火条件下晶格损伤的恢复情况,井通过沟道分析的结果与合尔法测定的电学参数的比较,对样品的退火效应进行了研究. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103943]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析[J]. 半导体学报,1986(05). |
| APA | 郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢葆珍,&莫培根.(1986).GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析.半导体学报(05). |
| MLA | 郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析".半导体学报 .05(1986). |
入库方式： OAI收割
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