GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邬祥生 ; 杨易 ; 陈沛然 ; 徐少华 ; 李允平 ; 胡道珊 |
| 刊名 | 电子学通讯
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| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103946]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邬祥生,杨易,陈沛然,等. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位[J]. 电子学通讯,1982(04). |
| APA | 邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,&胡道珊.(1982).GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位.电子学通讯(04). |
| MLA | 邬祥生,et al."GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位".电子学通讯 .04(1982). |
入库方式： OAI收割
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