GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑玉祥 ; 苏毅 ; 周仕明 ; 马宏舟 ; 陈良尧 ; 郑安生 ; 钱佑华 ; 林成鲁 ; 何冶平 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 11 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103954]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑玉祥,苏毅,周仕明,等. GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质[J]. 半导体学报,1995(11). |
| APA | 郑玉祥.,苏毅.,周仕明.,马宏舟.,陈良尧.,...&何冶平.(1995).GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质.半导体学报(11). |
| MLA | 郑玉祥,et al."GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质".半导体学报 .11(1995). |
入库方式： OAI收割
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