Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱南昌 ; 陈京一 ; 胡文捷 ; 李润身 ; 许顺生 ; 周国良 ; 张翔九 ; 俞鸣人 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１×１０－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103958]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱南昌,陈京一,胡文捷,等. Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究[J]. 半导体学报,1995(05). |
| APA | 朱南昌.,陈京一.,胡文捷.,李润身.,许顺生.,...&俞鸣人.(1995).Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究.半导体学报(05). |
| MLA | 朱南昌,et al."Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究".半导体学报 .05(1995). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。