Ge-SiO_2薄膜的XPS研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶春暖 ; 汤乃云 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 余跃辉 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 Ge-SiO2薄膜 溅射 XPS谱 退火 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结果可发现 ,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高 ,样品中的Si向高价态转化 ,Ge则向低价态转化 ;GeO含量在 80 0℃退火样品中为最大 ,高于 80 0℃退火样品中急剧减少 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103959]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶春暖,汤乃云,吴雪梅,等. Ge-SiO_2薄膜的XPS研究[J]. 微细加工技术,2002(01). |
| APA | 叶春暖,汤乃云,吴雪梅,诸葛兰剑,余跃辉,&姚伟国.(2002).Ge-SiO_2薄膜的XPS研究.微细加工技术(01). |
| MLA | 叶春暖,et al."Ge-SiO_2薄膜的XPS研究".微细加工技术 .01(2002). |
入库方式： OAI收割
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