Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董业民 ; 陈静 ; 汤乃云 ; 叶春暖 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103960]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民,陈静,汤乃云,等. Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制[J]. 科学通报,2001(06). |
| APA | 董业民.,陈静.,汤乃云.,叶春暖.,吴雪梅.,...&姚伟国.(2001).Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制.科学通报(06). |
| MLA | 董业民,et al."Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制".科学通报 .06(2001). |
入库方式： OAI收割
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