GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 柏劲松 ; 方祖捷 ; 张云妹 ; 张位在 ; 陈高庭 ; 李爱珍 ; 陈建新 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103963]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柏劲松,方祖捷,张云妹,等. GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,2001(01). |
| APA | 柏劲松.,方祖捷.,张云妹.,张位在.,陈高庭.,...&陈建新.(2001).GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器.半导体学报(01). |
| MLA | 柏劲松,et al."GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器".半导体学报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
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