In_x Ga_(1-x)As/InP异质材料的气相外延研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫金玑 ; 郑燕兰 ; 沈德新 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文采用氯化物法In-Ga-AsCl_3-H_2体系进行InGaAs/InP的异质气相外延研究。对采用In/Ga混合源和铟、镓的独立金属源的外延体系进行了比较。采用尽可能大的In(InAs)面积并降低晶格失配率的同时,注意提高原材料纯度,是制备优质多元外延材料的必要条件。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103984]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫金玑,郑燕兰,沈德新. In_x Ga_(1-x)As/InP异质材料的气相外延研究[J]. 稀有金属,1987(06). |
| APA | 莫金玑,郑燕兰,&沈德新.(1987).In_x Ga_(1-x)As/InP异质材料的气相外延研究.稀有金属(06). |
| MLA | 莫金玑,et al."In_x Ga_(1-x)As/InP异质材料的气相外延研究".稀有金属 .06(1987). |
入库方式： OAI收割
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